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BPY62-4 NPN Fototransistor NPN Phototransistor

Produktinformationen "BPY62-4 NPN Fototransistor NPN Phototransistor"

BPY62 NPN Phototransistor Fototransistor im TO18 Gehäuse

  • NPN Fototransistor universell verwendbar BPY62-4
  • Typische Anwendung Lichtschranken .... 
  • Geeignet für Anwendungen im Bereich von 420nm bis 1130nm
  • Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit: 850nm
  • Hohe Linearität
  • Hermetisch dichte Metallbauform TO18) mit Basisanschluss,
  • Spectralbereich: (SMAX) 850nm ( 420...1130nm )
  • Vce = 50V max. / Veb = 7V 
  • Dunkelstrom: 5nA
  • Collektorstrom Ic = 100mA max.: 200mA 10uS
  • Leistung Ptot: 200mW
  • HFE = Stromverstärkung: 420
  • Öffnungswinkel = 16° / Halbwinkel: +/-8°
  • Kapazität: Cce: 8pf 
  • Anstiegszeit/Abfallzeit: 9us

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