SFH309-5 NPN 3mm Fototransistor NPN Phototransistor
                                                | Anzahl | Stückpreis | 
|---|---|
| Bis 24 | 
                                                            
     
                                    0,35 €
                                     
                                                 | 
                                            
                                                                                                                                                                                
| Bis 49 | 
                                                            
     
                                    0,33 €
                                     
                                                 | 
                                            
                                                                                                                                                                                
| Ab 50 | 
                                                            
     
                                    0,28 €
                                     
                                                 | 
                                            
                                                                                                                                                                                
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                            9-400-00730
                        
                                    
                    
        
    
                        
                        
    
    Produktinformationen "SFH309-5 NPN 3mm Fototransistor NPN Phototransistor"
NPN Fototransistor im 3mm LED Gehäuse
Anwendungen: Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb, Tag- Nachtschaltung, Industrieelektronik, Messen/Steuern/Regeln..... Universell verwendbar 
Technische Daten:
- Optimal geeignet für Anwendungen im IR Bereich von 380 nm bis 1180nm
 - Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit: 860nm
 - Hohe Linearität
 - Plastikbauform im 3mm LED-Gehäuse
 - Halbwinkel = 12°(24°)
 - NPN Phototransistor
 - Uce max. 35V / Vcesat: 200mV
 - Ic=15mA / Ic max=75mA
 - Ptot: 165mW / Kapazität: CE 1MHz = 5pf
 - Anstiegszeit/Abfallzeit: 8us
 - Wärmewiderstand: 450K/W
 
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