CFY19-18 FET Transistor GaAs N-FET Transistor
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Artikelnummer:
8-892-03870
Produktinformationen "CFY19-18 FET Transistor GaAs N-FET Transistor"
CFY19-18 N-FET Transistor
- GaAs FET / GaAs N-FET Transistor
- preferred for use in microwave applications / MICROWAVE RADIO Transistor
- Rauscharm hoher Verstärkung Ionenimplantierte Planarstruktur vergoldete Metallisierung
- Für Oszillatoren / Für Antennenverstärker von UHF bis 6 GHz
- Techniche Daten ( max )
- Vdc : 5Volt / Vgs : -05...+0,5V / Ids : 80-100mA / Ptot: 300mW /
- F: bis 6Ghz / Ga <9,5dB
- Gehäuse : Cerec-XF
- solange Vorrat reicht ( abgekündigtes ERsatzteil )
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