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2N7000 MOSFET N-FET 60V 200-500mA TO92

Produktinformationen "2N7000 MOSFET N-FET 60V 200-500mA TO92"

2N7000 MOSFET N-Kanal Transistor

  • Daten 60V 200mA ( Pulsed = 500mA )
  • RDS= 5ohm 350mW
  • Vgs = +/-20V
  • Gehäuse TO92
  • Gate Threshold Voltage 0,8V min .... 3,0V max 
  • Input Capacitance = 60pf 
  • Output Capacitance= 2pf
  • Pinlayout siehe weitere Bilder 

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