IGBT G20N60B30 N-Kanal 600V 40A TO247AD mit Diode
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Produktinformationen "IGBT G20N60B30 N-Kanal 600V 40A TO247AD mit Diode"
IGBT G20N60B30 N-Kanal 600V 40A TO247AD mit Diode
Isulated Gate Bipolar Transistor
Belegung: von Links nach Rechts = Gate - Colektor - Emitter ( siehe weitere Bilder )
IGBT N-Kanal Transistor 600V 40A 165W TO247AD
VCES = Collector-to-Emitter Voltage = 600V
IC 25°C = Continuous Collector Current = 40A
ICM = Pulsed Collector Current 160A
Gate to Emitter Voltage Continuous . VGES +/-20 V
Gate to Emitter Voltage Pulsed VGEM +/-30 V
Switching Safe Operating Area at TC = 150oC SSOA 30A at 600V
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IGBT 15N60T N-Kanal 600V 35W TO220 ( ersetzt auch K15T60 / IKA15T60 )Technische Daten :VCE 600 / IC 14,7A 18A/ PC-Puls = 45A / Ptot : 35,7W /Integrierte Diode mit Anti-ParalleldiodeTypische Anwendung :Solar-Umrichter und Solar-Laderegler unterbrechungsfreie StromversorgungenSchweißkonverterSchaltfrequenzwandler für den kleinen bis mittleren Bereich