3mm IR LED Infrarot LED Sendediode IR LED Universal Infrarot LED ideal für Reparatur, Schule, Experimente usw. Einsatz IR Fernbedienung, Kameratechnik, Lichtschranken, Nachtsicht, Infrarot Anwendungen. Ersetzt u.a. sehr viele Infrarot Sendedioden auch SFH409 usw 3mm LED Infrarotdiode Spannung: 1,3Volt  Strom: 10mA Nenn ( 10... bis max. 100mA )  Spektralbereich: 950nm Nennwert ( Bereich 600-1050nm ) 20Grad Abstrahlwinkel Gehäuse 3mm Durchmessser ( 3mm LED üblich )  Gehäusefarbe: klar

Ersatz für LD274 Infrarot Sende Diode  5mm LED IR Emitter Infrarotdiode bzw. IR-LED bzw. Infrarot LED Radial bedrahtete IR Leuchtdioden, Sendediode im eingefärbtes diffuses Gehäuse IR Emitter Diode GaAs Durchmesser 5mm IR Transmitter GaAS Infrarot Sendediode ( Transmitter )  Sehr enger Abstrahlwinkel 20-Grad .  Anschlüsse im 2.54mm Raster Spannung 1,5V / Vf: 1,30 V bei 100mA / max. 1,90V Strom 10..100mA Durchlaßstrom max 100mA Sperrspannung 5V Leistung: 165mW Wellenlänge: 880...950nm Gehäusefarbe Transparent Grau / Blue  Anschluss siehe weitere Bilder   

BPW20 Fotodiode Photodiode Empfängerdiode BPW20 ist eine planare Silizium-PN-Photodiode in einem Hermetisch dichten TO-5-Gehäuse, speziell für hochpräzise lineare Anwendungen. Aufgrund seines extrem hohen Dunkelwiderstandes ist der Photostrom sehr linear bis über sieben Dekaden. Auf der anderen Seite gibt es eine streng logarithmische Korrelation zwischen Leerlaufspannung und der Empfindlichkeit. Ausgestattet mit einem klaren, flachen Glasfenster. Der Spektralbereich reicht von blau bis nahes Infrarot  400-1100nm  Technische Daten: Gehäuse TO-5 Abmessungen (in mm): Ø 8.13  Strahlungsempfindlicher Bereich (in mm2): 7.5qmm  Hohe Fotoempfindlichkeit Hohe Strahlungsempfindlichkeit Geeignet für sichtbare und nahinfrarote Strahlung Öffnungswinkel 100° / Halbwinkel +/- 50 Grad  Flachglasfenster UV-verbessert Niedriger Dunkelstrom Hohe Linearität Einsatzbereich: 400....1100nm  Höchste Empfindlichkeit bei 920nm  Forward voltage 1.0V typisch 1,3V max bei IF 50mA  Open circuit voltage 500mV  Reverse dark current 2nA max 30nA  Reverse voltage 10V  Leistung 300mW  Temperatureinsatzbereich: -40....+125°C Kapazität 1,2pF  Rise time 3,4us / Fall Time: 3,7us  Dunkelwiderstand 38-Gigaohm  TO5 Metallgehäuse  Abmessungen: Durchmesser 8,13mm

BPW34 Fotodiode mit einer sehr hohe Geschwindigkeit von 25ns und eine hochempfindliche Lichtfläche.  Die Photodiode ist in einem Miniaturgehäuse untergebracht. Durch sein wasserklares Epoxidfenster ist die Photodiode empfindlich gegenüber sichtbare und infrarot Licht. Die große aktive Fläche kombiniert mit einem flachen Gehäuse ergibt eine hohe Empfindlichkeit bei einem großer Öffnungswinkel von 130° Typischer Einsatzbereich: Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb im sichtbaren Lichtbereich Industrieelektronik, Steuerungstechnik ... Allgemein Messen / Steuern / Regeln  Allgemein Schule, Hobby, Experimente, Hell-Dunkelschaltungen, Lichtschranken usw. Technische Daten:  IR-Fotodiode 850-900nm ( Range 400...1100nm)  Öffnungswinkel: 130° / Halbwinkel +/-65°  Bestrahlungsempfindliche Fläche 7,45qmm  Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche 2,73 x 2,73mm  hohe Lichtempfindlichkeit Fotoempfindlichkeit bei VR = 5V = 75nA/Lux  Sehr schnell 25ns  Durchlaßspannung 1,3V ( VF ) bei IF 100mA  Sperrspannung 32V  Reverse Voltage 60V max  Open Circuit Voltage 350-390mV Leerlaufspannung  Verlustleistung 150mW  Reverse Dark Current Iro nur 2nA  Diode Capacitance 25pf max 40pf  Short switching time (typ. 25 ns) Rise Time 100ns / Fall Time: 100ns  bei VR 10V  RoHS : konform Abmessungen: Länge: 4,65mm / Breite:4,3mm / Höhe: 1,2+0,6mm ( siehe weitere Bilder )  Temperatureinsatzbereich: -40 ... +100 °C Anschluss siehe weitere Bilder

CQY17 Infraot Diode Emitter Infrarotdiode  im vergoldeten Metallgehäuse    Der Klassiker unter den Infrarotdioden seit Jahrzehnten Einsatz: Lichtschranken, Maschinenbau, Steuerungen etc.  Mit nur wenigen Bauteilen ist eine Lichtschranke gebaut !  Auch ideal für Schule Experimente usw.  Infrarot LED GaAs Technische Daten:  Betrieb typisch mit VF = 1,70Volt / IF 20-80mA  Wellenlänge Infraror = 950nm ( Infrarot )  Geschwindigkeit: 1000ns ( sehr schnell und genau )  Weitere Daten: VR max 3,0Volt / IF max = 100mA / Ptot = 170mW / Tamb = 25°C  Linse: NS331B / Halbleitermaterial GaAS / Gehäuse Metall vergoldet  Abmessungen: Durchmesser: 4,7mm / Körpus Höhe: 6,0mm mit Linse / Drähte ca 12mm Solange Vorrat reicht 

LD274-3 IR Emitter 5mm Infrarotdiode bzw. IR-LED bzw. Infrarot LED LD274 IR Emitter Diode GaAs Wellenlänge: 950nm Spannung Uf: 1.3V  1,5...1,9V Strom: IF max 100mA Verlustleistung 165mW IR Sendediode / IR Emitter Durchmesser 5mm Wellenlänge peak 950nm Der Klassiker unter den Infrarotdioden seit Jahrzehnten Hersteller OSRAM / Siemens Einsatz: Lichtschranken, Maschinenbau, Fernbedienungen, Steuerungen etc. Solange Vorrat reicht - Ersatzartikel auchBst Nr 9-400-00130

Hohe Packungsdichte durch integration von Empfängerdiode, Filter und Vorverstärker in einem Gehäuse. Tageslichtempfindlichkeit, TTL und C-Mos Kompatibilität, niedriger Leistungsbedarf und hohe Störsicherheit zeichnen diese Serie aus.

TSOP34838 IR-Empfänger Modul 3pin 38kHz Mini TSOP Fotodiode Hohe Packungsdichte durch Integration von Empfängerdiode, Filter und Vorverstärker in einem Gehäuse. Tageslichtempfindlichkeit, TTL und C-Mos Kompatibilität, niedriger Leistungsbedarf und hohe Störsicherheit zeichnen diese Serie aus.