BPY62 NPN Phototransistor Fototransistor im TO18 Gehäuse NPN Fototransistor universell verwendbar BPY62-4 Typische Anwendung Lichtschranken ....  Geeignet für Anwendungen im Bereich von 420nm bis 1130nm Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit: 850nm Hohe Linearität Hermetisch dichte Metallbauform TO18) mit Basisanschluss, Spectralbereich: (SMAX) 850nm ( 420...1130nm ) Vce = 50V max. / Veb = 7V  Dunkelstrom: 5nA Collektorstrom Ic = 100mA max.: 200mA 10uS Leistung Ptot: 200mW HFE = Stromverstärkung: 420 Öffnungswinkel = 16° / Halbwinkel: +/-8° Kapazität: Cce: 8pf  Anstiegszeit/Abfallzeit: 9us

NPN Fototransistor im 3mm LED Gehäuse Anwendungen: Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb, Tag- Nachtschaltung, Industrieelektronik, Messen/Steuern/Regeln..... Universell verwendbar Technische Daten: Optimal geeignet für Anwendungen im IR Bereich von 380 nm bis 1180nm Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit: 860nm Hohe Linearität Plastikbauform im 3mm LED-Gehäuse Halbwinkel = 12°(24°) NPN Phototransistor Uce max. 35V / Vcesat: 200mV  Ic=15mA / Ic max=75mA  Ptot: 165mW / Kapazität: CE 1MHz = 5pf  Anstiegszeit/Abfallzeit: 8us Wärmewiderstand: 450K/W

TPS613 NPN Fototransistor für den sichtbaren Spektralbereich  Gehäuse: 3mm Miniatur-Gehäuse NPN Transistor ( Universal Type ) Idel für Experimente in Schulen, Hobby, Testschaltungen, Fühler Hell-Dunkel usw. Breite Photoelektrischer Eintritt mit 60 Grad Öffnungswinkel   Einsatzbereich siehe auch Kurve 550...900nm Technische Daten: Spannungseinsatz bis Vce: 20V ( 5-12V DC typisch ) Veco: 5V Collektorstrom max Ic: 20mA Lichteinfall Öffnungswinkel 60° / Halbwinkel +/-30° ( siehe weitere Bilder )  Temperatureinsatzbereich -20....+75°C Leistung 75mW