2N1613 Abschlüsse / Belegung siehe weitere Bilder  ** solange Vorrat reicht !

2N1711 NPN Transistor 50V 1A TO39 Abschlüsse / Belegung siehe weitere Bilder  ** solange Vorrat reicht !  

2N1724 NPN Transistor 80V Sondertype TO61 Typisches Ersatzteil für USA Maschinen  abgekündigte Type  solange Vorrat reicht NPN Transistor im TO61 Gehäuse mit Schraubgewinde Vceo = 80V Vcbo = 120V Vebo = 10V IC = 5A / Peak 7,5A IB = 2,0A Ptot 50W

2N1893 NPN Transistor 80V 500mA TO39 Abschlüsse / Belegung siehe weitere Bilder  Typisches Ersatzteil solange Vorrat reicht ! Ersetzt viele Typen u.a. auch BSW39.. Serie 

2N2221 NPN Transistor 30V 800mA TO18  HighSpeed Transistor bis 250Mhz Daten: Vce = 30V / Hfe 20-100 / Collektor Strom max 800mA = 0,8A / PD 0,5Watt solange Vorrart reicht 

2N2221 NPN Transistor 30V 800mA TO92 HighSpeed Transistor bis 250Mhz Daten: Vce = 30V / Hfe 20-100 / Collektor Strom max 800mA = 0,8A / PD 0,5Watt solange Vorrart reicht 

2N3019 NPN Transistor TO39 80V 1A Hfe: 100-300 Abschlüsse / Belegung siehe weitere Bilder  Typisches Ersatzteil solange Vorrat reicht ! Ersetzt viele Typen u.a. auch BSW39.. Serie 

2N3055 NPN Transistor 60V 15A 115W TO3 NPN Leistungstransistor typischer Einsatz Netzgeräte, Labornetzteile, Endstufen, AMP, Verstärker usw. Typischer Ersatztransistor für Leistungsgeräte Technische Daten:  Collector−Emitter Voltage Vceo = 60V DC  Collector Current − Continuous IC = 15A  Total Power Dissipation PD = 115W Base−Emitter On Voltage Vbe ON = max 1,5V DC  DC Current Gain (IC = 4.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc) HFE 20 - 70  DC Current Gain (IC = 10 Adc, VCE = 4.0 Vdc) HFE 5 Small signal Current Gain ( IC= 1,0A DC / Vce = 4,0V DC f=1,0Khz ) HFE = 15-120

2N3583 NPN Transistor 250V 2A 35W TO66 / TO213 ** solange Vorrat reicht !

2N4036 NPN Transistor 90V 1A 1W TO-39 Abschlüsse / Belegung siehe weitere Bilder  ** solange Vorrat reicht !

2N4391 FET Transistor N-FET 40V 50mA TO18 Status der Komponente Obsolet FET-Typ N-Kanal Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS) 40V Strom - Drain (Idss) bei Vds (Vgs=0) 50mA @ 20V Spannung - Abschaltung (VGS aus) bei Id 4V @ 1nA Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 14pF bei 20V Widerstand - RDS(On) 30 Ohms Leistung - Max. 1,8W Betriebstemperatur -65°C bis 200°C (TJ) Montagetyp Durchkontaktierung Gehäuse / Hülle TO-206AA, TO-18-3 Metallgehäuse

2N5685 NPN Transistor 60V 50A 300W TO3 bedingter Ersatz für BUV18A  ** solange Vorrat reicht !

2N5686 NPN Transistor 80V 50A 300W TO3 bedingter Ersatz für BUV18A  ** solange Vorrat reicht !

2N5886 NPN Transistor 80V 25A 200W TO-3 ** solange Vorrat reicht !

2N7000 MOSFET N-Kanal Transistor Daten 60V 200mA ( Pulsed = 500mA ) RDS= 5ohm 350mW Vgs = +/-20V Gehäuse TO92 Gate Threshold Voltage 0,8V min .... 3,0V max  Input Capacitance = 60pf  Output Capacitance= 2pf Pinlayout siehe weitere Bilder