CFY19-18 N-FET Transistor GaAs FET / GaAs N-FET Transistor preferred for use in microwave applications / MICROWAVE RADIO Transistor Rauscharm hoher Verstärkung Ionenimplantierte Planarstruktur vergoldete Metallisierung Für Oszillatoren / Für Antennenverstärker von UHF bis 6 GHz Techniche Daten ( max ) Vdc : 5Volt / Vgs : -05...+0,5V / Ids : 80-100mA / Ptot: 300mW / F: bis 6Ghz / Ga <9,5dB Gehäuse : Cerec-XF solange Vorrat reicht ( abgekündigtes ERsatzteil )