2SK209 SMD Transistor N-Kanal Fet Junction Transistor 50V 10mA Feldeffekttransistor Kennung Aufdruck XG/X6Gehäuse SOT-346IDSS = Drain Current = 1,2...14mA ( VDS = 10V ) Drain-Source-Spannung Vds max. 10V VGDS -50V IG = Gate Current 10mA PD = 150mW Maximale VerlustleistungDrain-Source-Widerstand Rds max. 1kO
SMD Transistor N-Kanal MOSFET 500V 14,1A 0,38ohm TO252. SMD Leistungs-MOSFETs für Netzteile von TV, Monitor usw. Ersetzt viele Typen div. Hersteller SMD-Gehäuse TO252 / TO252AA / DPACK Korpus: B: 6,5mm x 6,8mm mit Pins 10mm ( siehe auch Zeichnung weitere Bilder ) Technische Daten: VBR ( DSS ) Uds: 500Volt Id: Drain Current: 14,1A ( ID-Pulse 32,4A ) Leistung Ptot 98W Rds = Max. Drain-Source On-Resistance 0,38 Ohm Gate Sourge Spannung VGS -20 ... -30V Vsd = Diode Forward Voltage: 0,85V td(on) Turn-On Delay Time: 7,2ns td(off) Turn-Off Delay Time: 8,6ns
BSP295 MOSFET N-FET SMD Transistor 60V 1,8A SOT223 SMD Klein-Leistungs-MOSFETs für Netzteile, Schaltregler, Lastschalter usw. Ersetzt viele Typen div. Hersteller Technische Daten: Uds: 60 Volt Id: Drain Current: 1.8A Leistung: bis 1.8W Rds = Max. Drain-Source On-Resistance 0,03 Ohm UGS(th) = Min. Gate Threshold Voltage: 0,8 Volt Vsd = Diode Forward Voltage: 1,3V td(on) = Turn-On Delay Time: 5.4ns td(off) = Turn-Off Delay Time: 27ns
SMD Leistungs-MOSFET Universal Type ideal für die Reparatur von Netzteilen, TV, Monitoren usw. Ersetzt viele Typen div. Hersteller Technische Daten: SMD Gehäuse D2Pack TO263AB Korpus 10x10mm mit Pins 15mm ( siehe Zeichnung weitere Bilder ) Einsatz bis Uds: 500 Volt Id: Drain Current: 8,0A Leistung: bis 125W Rds = Max. Drain-Source On-Resistance 0,850 Ohm UGS(th) = Min. Gate Threshold Voltage: 2,0 Volt td(on) = Turn-On Delay Time: 14ns td(off) = Turn-Off Delay Time: 49ns Pinlayout siehe auch weitere Bilder
SMD Leistungs-MOSFET ideal für Reperaturen von Netzteile aller Art, Steuerungen, TV, Monitor usw. Ersetzt viele Typen div. Hersteller SMD-Gehäuse TO252 / TO252AA / DPACK Korpus: B: 6,5mm x 6,8mm mit Pins 10mm ( siehe auch Zeichnung weitere Bilder ) Technische Daten: Uds: 400 Volt Id: Drain Current: 3,1A Leistung: bis 42W Rds = Max. Drain-Source On-Resistance 1,800 Ohm UGS(th) = Min. Gate Threshold Voltage: 2,0 Volt td(on) = Turn-On Delay Time: 10ns td(off) = Turn-Off Delay Time: 30ns
SMD Leistungs-MOSFET für Netzteile, Schaltregler, Lastschalter usw. Ersetzt viele Typen div. Hersteller SMD-Gehäuse TO252 / TO252AA / DPACK Korpus: B: 6,5mm x 6,8mm mit Pins 10mm ( siehe auch Zeichnung weitere Bilder ) Technische Daten: Uds: 75 Volt Id: Drain Current: 56A Leistung: bis 140W Rds = Max. Drain-Source On-Resistance 0,009 Ohm UGS(th) = Min. Gate Threshold Voltage: 2,0 Volt max 4.0V Vsd = Diode Forward Voltage: 1,3V td(on) = Turn-On Delay Time: 16ns td(off) = Turn-Off Delay Time: 43ns
SMD Leistungs-MOSFET Ideal für Reparaturen von Netzteilen, Schaltungen, Steuerungen aller Art auch TV, Monitore usw. Ersetzt viele Typen div. Hersteller SMD-Gehäuse TO252 / TO252AA / DPACK Korpus: B: 6,5mm x 6,8mm mit Pins 10mm ( siehe auch Zeichnung weitere Bilder ) Technische Daten: Uds: 200 Volt Id: Drain Current: 3,6A Leistung: bis 42W Rds = Max. Drain-Source On-Resistance 1,500 Ohm UGS(th) = Min. Gate Threshold Voltage: 2,0 Volt td(on) = Turn-On Delay Time: 8,8ns td(off) = Turn-Off Delay Time: 7,3ns
SMD Transistor N-Kanal MOSFET 600V 2A 50W TO252. SMD Leistungs-MOSFETs für Netzteile von TV, Monitor usw. Ersetzt viele Typen div. Hersteller SMD-Gehäuse TO252 / TO252AA / DPACK Korpus: B: 6,5mm x 6,8mm mit Pins 10mm ( siehe auch Zeichnung weitere Bilder ) Technische Daten: Uds: 600 Volt Id: Drain Current: 2,0A Leistung: bis 50W Rds = Max. Drain-Source On-Resistance 8,000 Ohm UGS(th) = Min. Gate Threshold Voltage: 2,0 Volt td(on) = Turn-On Delay Time: 12ns td(off) = Turn-Off Delay Time: 30ns