IGBT 15N60T Transistor N-Kanal 600V 35W TO220
IGBT 15N60T N-Kanal 600V 35W TO220 ( ersetzt auch K15T60 / IKA15T60 )Technische Daten :VCE 600 / IC 14,7A 18A/ PC-Puls = 45A / Ptot : 35,7W /Integrierte Diode mit Anti-ParalleldiodeTypische Anwendung :Solar-Umrichter und Solar-Laderegler unterbrechungsfreie StromversorgungenSchweißkonverterSchaltfrequenzwandler für den kleinen bis mittleren Bereich
IXGH 25N90A IGBT Transistor N-Kanal 900V 50A 200W TO247AD
IXGH 25N90A IGBT Transistor N-Kanal 900V 50A 200W TO247AD IGBT N-Kanal Transistor 600V 23A 100W TO220AB IBGT = Isulated Gate Bipolar Transistor = MOSIGBT VCES = Collector-to-Emitter Voltage = 900V IC 25°C = Continuous Collector Current = 50A IC 90°C = Continuous Collector Current = 25A ICM = Pulsed Collector Current 100A VCE sat = 3,5V VGE = Gate-to-Emitter Voltage +/-20V PD 25°C = Maximum Power Dissipation 200W TF = Current Fall Time = 1500ns Pinlayout siehe weitere Bilder
IGBT G20N60B30 N-Kanal 600V 40A TO247AD mit Diode
IGBT G20N60B30 N-Kanal 600V 40A TO247AD mit DiodeIsulated Gate Bipolar TransistorBelegung: von Links nach Rechts = Gate - Colektor - Emitter ( siehe weitere Bilder ) IGBT N-Kanal Transistor 600V 40A 165W TO247ADVCES = Collector-to-Emitter Voltage = 600V IC 25°C = Continuous Collector Current = 40A ICM = Pulsed Collector Current 160A Gate to Emitter Voltage Continuous . VGES +/-20 VGate to Emitter Voltage Pulsed VGEM +/-30 VSwitching Safe Operating Area at TC = 150oC SSOA 30A at 600V